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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： 2N6798
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 200V 5.5A TO-205AF
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 200V 5.5A TO-205AF
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 200V 5.5A TO-205AF
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 5.5A
- 漏源电压, Vds: 200V
- ??电阻RDS（上）: 400mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
- 功耗, Pd: 25W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150??C
- 封装类型: TO-39
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 单脉冲雪崩能量 Eas: 54mJ
- 外部长度/高度: 18.03mm
- 封装/箱盒: TO-39
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 引线长度: 14.22mm
- 晶体管数: 1
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 5.5A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 200V
- 电压, Vgs 最高: 4V
- 电流, Idm 脉冲: 22A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -55°C
- 表面安装器件: 通孔
- 重量: 0.0024kg
- 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
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