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ZXMS6006DT8TA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
ZXMS6006DT8TA
制造商:
Diodes Inc
描述:
场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V 2.8A SM8
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V 2.8A SM8
晶体管极性: 双N沟道
电流, Id 连续: 2.8A
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS(上): 0.075ohm
电压 @ Rds测量: 5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
功耗, Pd: 1.16W
工作温度最小值: -40°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-223
针脚数: 8
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 1.16W
工作温度范围: -40°C 至 +150°C
模块配置: 双
漏源电压 Vds, N沟道: 60V
连续漏极电流 Id, N沟道: 11A
??态电阻 Rds(on), N沟道: 0.085ohm
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型号: ZXMS6006DT8TA 品牌: Diodes Inc 备注: 场效应管 MOSFET 双N沟道 ESD 60V 2.8A SM8
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