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产品信息
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场效应管 MOSFET P SOT-23-6
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晶体管极性:
P沟道
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电流, Id 连续:
4A
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漏源电压, Vds:
30V
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在电阻RDS(上):
70mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
-800mV
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功耗, Pd:
1.1W
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
SOT-23
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针脚数:
6
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD标号:
317
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封装/箱盒:
SOT-23
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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总功率, Ptot:
1.1W
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
-4A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
-10V
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电压, Vds 典型值:
-30V
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电压, Vgs 最高:
-20V
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电流, Idm 脉冲:
14.4A
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结温, Tj 最大值:
150°C
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结温, Tj 最小值:
-55°C
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表面安装器件:
SMD
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通态电阻最大值:
70mohm
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阈值电压, Vgs th 最低:
-0.8V
产地:
GB
United Kingdom
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