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制造商型号: ZXMN6A25DN8T
制造商: Diodes/Zetex
描述: MOSFET,双,N沟道,60V,5A/4.2A,SOIC8
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产品信息
典型关断延迟时间26.2 ns
典型接通延迟时间3.8 ns
典型栅极电荷@Vgs11 nC V @ 5, 20.4 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1063 pF V @ 30
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SOIC
尺寸5 x 4 x 1.5mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2100 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.05 Ω
最大连续漏极电流5 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双、双漏极
长度5mm
高度1.5mm
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