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ZXMN6A08KTC|Diodes Inc
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制造商型号: ZXMN6A08KTC
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK
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产品信息
数据列表 ZXMN6A08K
产品相片 TO-263
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.36A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)80 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)5.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)459pF @ 40V
功率 - 最大值2.12W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252-3
产品目录页面1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称ZXMN6A08KTCTR
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