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ZXMN3AM832TA|Diodes Inc
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制造商型号: ZXMN3AM832TA
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP
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产品信息
数据列表 ZXMN3AM832TA
产品相片 ZXMN3AM832TA
其它图纸 MLP832 Side
MLP832 Bottom
PCN Obsolescence MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)120 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)3.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)190pF @ 25V
功率 - 最大值1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-MLP
供应商器件封装8-MLP(3x2)
产品目录页面1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称ZXMN3AM832TR
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