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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： ZXMN3A04DN8
制造商： Diodes Inc
描述： 场效应管 MOSFET N 双 SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Diodes Inc
描述： 场效应管 MOSFET N 双 SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N 双 SO-8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 7.6A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 25mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
- 功耗, Pd: 2.15W
- 工作温???最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOIC
- 针脚数: 8
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- SMD标号: ZXMN3A04D
- 功耗, Pd: 1.25W
- 封装/箱盒: SOIC
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 总功率, Ptot: 1.25W
- 晶体管数: 2
- 模块配置: 双
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 8.5A
- 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 30V
- 电流, Idm 脉冲: 25A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -55°C
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 8.5A
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.02ohm
- 通态电阻最大值: 25mohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
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