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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： ZXMN2B01F
制造商： Diodes Inc
描述： 场效应管 MOSFET N型 SOT-23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Diodes Inc
描述： 场效应管 MOSFET N型 SOT-23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N型 SOT-23
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 2.4A
- 漏源电压, Vds: 20V
- 在电阻RDS（上）: 100mohm
- 电压 @ Rds测量: 4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
- 功耗, Pd: 806mW
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOT-23
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功耗, Pd: 625mW
- 功耗, Pd: 806mW
- 封装/箱盒: SOT-23
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 时间, t off: 17.8ns
- 时间, t on: 2.2ns
- 时间, trr 典型值: 6.7ns
- 栅极电荷 Qg N沟道: 4.8nC
- 漏极电流, Id 最大值: 2.4A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
- 电压, Vds 典型值: 20V
- 电压, Vgs Rds N沟道: 4.5V
- 电压, Vgs 最高: 8V
- 电容值, Ciss 典型值: 370pF
- 电流, Idm 脉冲: 11.8A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 表面安装器件: SMD
- 阈值电压, Vgs th 最低: 0.4V
- 阈值电压, Vgs th 最高: 1V
询价