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ZXMHC6A07T8TA|Diodes Inc
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制造商型号: ZXMHC6A07T8TA
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8
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产品信息
数据列表 ZXMHC6A07T8TA
产品相片 SOT-223-8
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.6A,1.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)300 毫欧 @ 1.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)3.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)166pF @ 40V
功率 - 最大值1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-223-8
供应商器件封装SM8
产品目录页面1479 (CN2011-ZH PDF)
其它名称ZXMHC6A07T8TR
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