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ZXM66P02N8TC|Diodes Inc
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制造商型号: ZXM66P02N8TC
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET P-CHAN 20V 8SOIC
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产品信息
数据列表 ZXM66P02N8T(A, C) Datasheet
产品相片 SOP-8L
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.4A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)25 毫欧 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)43.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2068pF @ 15V
功率 - 最大值1.56W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOP
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