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ZVN2106GTA|Diodes Inc
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制造商型号: ZVN2106GTA
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
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产品信息
数据列表 ZVN2106G
产品相片 SOT223-3L
其它图纸 SOT-223 Footprint
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)710mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)75pF @ 18V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223
产品目录页面1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称ZVN2106GTR
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