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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： VNS1NV04D
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET 智能开关 SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET 智能开关 SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET 智能开关 SO-8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 1.7A
- 漏源电压, Vds: 55V
- 在电阻RDS（上）: 250mohm
- 电压 @ Rds测量: 25V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.5V
- 功耗, Pd: 4W
- 封装类型: SOIC
- 针脚数: 8
- MSL: MSL 3 - 168小时
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 封装/箱盒: SOIC
- 总功率, Ptot: 4W
- 模块配置: 双
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 5V
- 电压, Vcc 最大: 45V
- 电压, Vds 典型值: 45V
- 电流极限: 1.7A
- 表面安装器件: SMD
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.25ohm
- 钳位电压: 45V
询价