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制造商型号: VMO650-01F
制造商: Ixys
描述: MOSFET 650 Amps 100V
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产品信息
制造商:IXYS
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:100 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:690 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.8 mOhms
配置:Single Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Screw
封装 / 箱体:Y3-DCB
封装:Bulk
下降时间:200 ns
最小工作温度:- 40 C
功率耗散:2500 W
上升时间:500 ns
工厂包装数量:2
典型关闭延迟时间:800 ns
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