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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： US6M1TR
制造商： ROHM
描述： ???效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： ROHM
描述： ???效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET 双 NP 2.5V/4V TUMT6
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 1A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 380mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.5V
- 功耗, Pd: 1W
- 封装类型: TUMT
- 针脚数: 6
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 上升时间: 6ns
- 下降时间: 8ns
- 功耗, Pd: 1W
- 功耗, Pd: 1W
- 封装/箱盒: TUMT6
- 模块配置: 双
- 漏极电流, Id 最大值: 1.4A
- 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
- 漏源电压 Vds, P沟道: -20V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4V
- 电压, Vds 典型值: 30V
- 电容值, Ciss 典型值: 70pF
- 电流, Idm 脉冲: 4A
- 表面安装器件: SMD
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 1.4A
- 连续漏极电流 Id, P沟道: 1A
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.17ohm
- 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.28ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
- 阈值电压, Vgs th 最高: 2.5V
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