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US6J2TR|Rohm Semiconductor
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制造商型号: US6J2TR
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
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产品信息
数据列表 US6J2
产品相片 TUMT6_TUMT6 Pkg
产品目录绘图 TUMT-6 Package Top
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)390 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)150pF @ 10V
功率 - 最大值1W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-SMD,扁平引线
供应商器件封装TUMT6
产品目录页面1639 (CN2011-ZH PDF)
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