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产品信息
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场效应管 开关MOSFET UMT6
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晶体管极性:
双N沟道
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电流, Id 连续:
10mA
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漏源电压, Vds:
30V
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在电阻RDS(上):
8ohm
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电压 @ Rds测量:
4V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
1.5V
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功耗, Pd:
150mW
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
UMT
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针脚数:
6
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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封装/箱盒:
UMT6
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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晶体管类型:
小信号
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模块配置:
双
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漏极电流, Id 最大值:
100mA
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漏源电压 Vds, N沟道:
30V
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
4V
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电压, Vds 典型值:
30V
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表面安装器件:
SMD
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连续漏极电流 Id, N沟道:
100mA
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通态电阻 Rds(on), N沟道:
5ohm
产地:
JP
Japan
询价