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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： TSM1N60CP
制造商： TAIWAN SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： TAIWAN SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 1A
- 漏源电压, Vds: 600V
- 在电阻RDS（上）: 8ohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
- 功耗, Pd: 50W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: TO-252
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 外宽: 6.8mm
- 外部深度: 10.5mm
- 外部长度/高度: 2.55mm
- 封装/箱盒: DPAK
- 封装类型, 其它: TO-252
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 时间, trr 典型值: 21ns
- 晶体管数: 1
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 1A
- 用途代码: GPSW
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 600V
- 电压, Vgs 最高: 30V
- 电流, Idm 脉冲: 9A
- 表面安装器件: SMD
- 通态电阻最大值: 8ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: 2V
- 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
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