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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： TPS1101DG
制造商： Texas Instruments
描述： MOSFET，P沟道，15V，2.3A，SOIC8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Texas Instruments
描述： MOSFET，P沟道，15V，2.3A，SOIC8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 6.5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11.25 nC V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.91mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.91 x 1.58mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最大功率耗散 | 791 mW | |
| 最大栅源电压 | -15 V, 2 V | |
| 最大漏源电压 | 15 V | |
| 最大连续漏极电流 | 2.3 A | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 高度 | 1.58mm |
询价