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TPN3300ANH,LQ|Toshiba
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制造商型号: TPN3300ANH,LQ
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
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产品信息
数据列表 TPN3300ANH
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)9.4A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)33 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)880pF @ 50V
功率 - 最大值27W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerVDFN
供应商器件封装8-TSON高级
其它名称TPN3300ANHLQ
TPN3300ANHLQTR
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