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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： TPCP8106,LF
制造商： Toshiba
描述： MOSFET P沟道 30V 5.2A 低Rds 10uA PS8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Toshiba
描述： MOSFET P沟道 30V 5.2A 低Rds 10uA PS8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 133 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ -10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 870 pF @ -10 V | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 封装类型 | 2-3V1S | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.4 x 0.8mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大功率耗散 | 1.68 W | |
| 最大栅源电压 | -25 → +20 V | |
| 最大漏源电压 | -30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 44 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | -5.2 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四漏极、三源 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.8mm |
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