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TPCF8B01(TE85L,F,M|Toshiba
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制造商型号: TPCF8B01(TE85L,F,M
制造商: Toshiba
描述: MOSFET P-CH SBD 20V 2.7A VS-8
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产品信息
数据列表 TPCF8B01
Mosfets Prod Guide
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.7A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)110 毫欧 @ 1.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)470pF @ 10V
功率 - 最大值-
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装VS-8(2.9x1.9)
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