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TPCF8101(TE85L,F,M|Toshiba
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制造商型号: TPCF8101(TE85L,F,M
制造商: Toshiba
描述: MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
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产品信息
数据列表 TPCF8101
Mosfets Prod Guide
产品相片 TPCF8101(TE85L,F)
产品目录绘图 TPC8xxx Series Side
TPC8xxx Series Top
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)28 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)18nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1600pF @ 10V
功率 - 最大值-
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装VS-8(2.9x1.9)
产品目录页面1653 (CN2011-ZH PDF)
其它名称TPCF8101(TE85L,F)
TPCF8101(TE85L,F)-ND
TPCF8101(TE85LFMTR
TPCF8101FTR
TPCF8101FTR-ND
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