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制造商型号: TPCC8131,LQ
制造商: Toshiba
描述: MOSFET,P沟道,30V,10A,TSON8EP
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间170 ns
典型接通延迟时间14 ns
典型栅极电荷@Vgs40 nC V @ -10
典型输入电容值@Vds1700 pF V @ -10
安装类型表面贴装
宽度3.1mm
封装类型2-3X1S
尺寸3.1 x 3.1 x 0.85mm
引脚数目8
最大功率耗散20 W
最大栅源电压+20 V,-25 V
最大漏源电压-30 V
最大漏源电阻值23 mΩ
最大连续漏极电流-10 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别锂离子电池,电源管理开关
通道模式增强
通道类型P
配置四漏极、单门、三源
长度3.1mm
高度0.85mm
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