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制造商型号: TPCC8065-H,LQ
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N沟道 30V 13A 低Rds TSON8 Adv.
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间17 ns
典型接通延迟时间8.1 ns
典型栅极电荷@Vgs20 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds1350 pF @ 10 V
安装类型表面贴装
宽度3.1mm
封装类型2-3X1S
尺寸3.1 x 3.1 x 0.85mm
引脚数目8
最大功率耗散18 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值14.5 mΩ
最大连续漏极电流13 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、三源
长度3.1mm
高度0.85mm
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