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TPC8216-H(TE12L,Q)|Toshiba
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制造商型号: TPC8216-H(TE12L,Q)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH DUAL 30V 6.4A 8SOP
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产品信息
数据列表 TPC8216-H
Mosfets Prod Guide
产品相片 8-SOIC
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值-
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装8-SOP(5.5x6.0)
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