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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： TPC8125,LQ
制造商： Toshiba
描述： MOSFET，P沟道，30V，10A，SOIC8P
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Toshiba
描述： MOSFET，P沟道，30V，10A，SOIC8P
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 245 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 64 nC V @ -10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2580 pF V @ -10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 封装类型 | 2-5R1A | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.52mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大功率耗散 | 1.9 W | |
| 最大栅源电压 | +20 V，-25 V | |
| 最大漏源电压 | -30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 17 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | -10 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 锂离子电池，电源管理开关 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四漏极、单门、三源 | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 高度 | 1.52mm |
询价