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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： TPC8118(TE12L,Q
制造商： Toshiba
描述： 分立,功率MOSFET,TPC8118(TE12L,沟道,Vdss=-30V,Id=-13A,SOP-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Toshiba
描述： 分立,功率MOSFET,TPC8118(TE12L,沟道,Vdss=-30V,Id=-13A,SOP-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型栅极电荷@Vgs | 56 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2700 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功率耗散 | 1900 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.007 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 高度 | 1.5mm |
询价