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制造商型号: TPC8115(TE12L,Q
制造商: Toshiba
描述: MOSFET,P沟道,20V,10A,逻辑,SOIC8P
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型栅极电荷@Vgs115 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds9130 pF V @ 10
安装类型表面贴装
宽度4.4mm
封装类型SOP
尺寸5 x 4.4 x 1.5mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1900 mW
最大栅源电压±8 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.01 Ω
最大连续漏极电流10 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置四源、单、三漏极
长度5mm
高度1.5mm
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