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制造商型号: TN0200K
制造商: VISHAY
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 730mA
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS(上): 400mohm
  • 功耗, Pd: 35W
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • SMD标号: K2ywl
  • 功耗, Pd: 35W
  • 功耗, Pd: 350mW
  • 封装/箱盒: SOT-23 (TO-236)
  • 带子宽度: 8mm
  • 总功率, Ptot: 350mW
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 电流, Idm 脉冲: 4A
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 1V
产地: PH Philippines
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