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产品信息
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场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
730mA
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漏源电压, Vds:
20V
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在电阻RDS(上):
400mohm
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功耗, Pd:
35W
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封装类型:
SOT-23
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针脚数:
3
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SMD标号:
K2ywl
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功耗, Pd:
35W
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功耗, Pd:
350mW
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封装/箱盒:
SOT-23 (TO-236)
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带子宽度:
8mm
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总功率, Ptot:
350mW
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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电流, Idm 脉冲:
4A
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表面安装器件:
SMD
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阈值电压, Vgs th 最高:
1V
产地:
PH
Philippines
询价