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制造商型号: TN0200K-T1-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,N沟道,20V,0.73A,TO236
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间55 ns
典型接通延迟时间17 ns
典型栅极电荷@Vgs1.4 nC V @ 4.5
安装类型表面贴装
宽度1.4mm
封装类型TO-236
尺寸3.04 x 1.4 x 1.02mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散0.35 W
最大栅源电压±8 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.4 Ω
最大连续漏极电流0.73 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度3.04mm
高度1.02mm
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