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TK8S06K3L(T6L1,NQ)|Toshiba
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制造商型号: TK8S06K3L(T6L1,NQ)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
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产品信息
数据列表 TK8S06K3L
产品相片 TO-263
标准包装  2,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)54 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)400pF @ 10V
功率 - 最大值25W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装DPAK+
其它名称TK8S06K3L(T6L1NQ)
TK8S06K3LT6L1NQ
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