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TK4A60DB(STA4,Q,M) Toshiba America Electronic Components MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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TK4A60DB(STA4,Q,M) Toshiba America Electronic Components Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK4A60DB(STA4,Q,M)) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS 详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.7A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS 型号:TK4A60DB(STA4,Q,M) 仓库库存编号:TK4A60DB(STA4QM)-ND 别名:TK4A60DB(STA4QM) <br>TK4A60DBSTA4QM <br> | 无铅 |
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数据列表 | TK4A60DB |
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产品相片 | TK6A60W,S4VX |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.7A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 2 欧姆 @ 1.9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 540pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 35W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220SIS |
其它名称 | TK4A60DB(STA4QM) TK4A60DBSTA4QM |