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TK40P03M1(T6RDS-Q)|Toshiba
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制造商型号: TK40P03M1(T6RDS-Q)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
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产品信息
数据列表 TK40P03M1
Mosfets Prod Guide
产品相片 TO-263
标准包装  2,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)40A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)10.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)17.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1150pF @ 10V
功率 - 最大值33W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak
其它名称TK40P03M1T6RDSQ
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