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| 型号/制造商 |
| TK40P03M1(T6RDS-Q) Toshiba America Electronic Components MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 25W 410pF 0.074 RoHS: Compliant 搜索 |
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| 型号/制造商 |
| TK40P03M1(T6RDS-Q) Toshiba America Electronic Components Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: TK40P03M1(T6RDS-Q)) RoHS: Compliant 搜索 |
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 | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） DPAK 型号：TK40P03M1(T6RDS-Q) 仓库库存编号：TK40P03M1(T6RDS-Q)-ND 别名：TK40P03M1T6RDSQ <br> |  |
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 | TK40P03M1(T6RDS-Q) Toshiba | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3 查看详细 |
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制造商型号： TK40P03M1(T6RDS-Q)
制造商： Toshiba
描述： MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Toshiba
描述： MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
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产品信息
| 数据列表 | TK40P03M1 Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 40A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 10.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1150pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 33W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | TK40P03M1T6RDSQ |
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