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TK39J60W,S1VQ|Toshiba
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制造商型号: TK39J60W,S1VQ
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
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产品信息
数据列表 TK39J60W
产品相片 TO-3P-3,TO-247-3
特色产品 DTMOSIV Superjunction MOSFETs
标准包装  25
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能超级结
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)38.8A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)65 毫欧 @ 19.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 1.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4100pF @ 300V
功率 - 最大值270W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装TO-3P(N)
其它名称TK39J60WS1VQ
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