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制造商型号: TK20A60T(Q
制造商: Toshiba
描述: 分立,功率MOSFET,TK20A60T(Q),N0V,20A,TO220
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs30 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1580 pF V @ 10
安装类型通孔
宽度4.5mm
封装类型SC-67
尺寸10 x 4.5 x 8.1mm
引脚数目3
最低工作温度-55°C
最大功率耗散45000 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.19 Ω
最大连续漏极电流20 A
最高工作温度+150°C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度10mm
高度8.1mm
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