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TK16G60W,RVQ|Toshiba
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制造商型号: TK16G60W,RVQ
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
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产品信息
数据列表 TK16G60W
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能超级结
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)15.8A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)190 毫欧 @ 7.9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 790µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1350pF @ 300V
功率 - 最大值130W
安装类型*
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
其它名称TK16G60WRVQTR
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