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制造商型号: TK15H50C(Q
制造商: Toshiba
描述: TK15H50C(Q)
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs48 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2450 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度4.5mm
封装类型TO-3P W
尺寸15.5 x 4.5 x 20mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散150000 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压500 V
最大漏源电阻值0.4 Ω
最大连续漏极电流15 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度15.5mm
高度20mm
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