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TK12Q60W,S1VQ|Toshiba
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制造商型号: TK12Q60W,S1VQ
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
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产品信息
数据列表 TK12Q60W
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能超级结
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)11.5A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)340 毫欧 @ 5.8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 600µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)890pF @ 300V
功率 - 最大值100W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短截引线,IPak
供应商器件封装I-Pak
其它名称TK12Q60WS1VQ
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