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TK12E60W,S1VX Toshiba America Electronic Components MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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TK12E60WS1VX Toshiba America Electronic Components Trans MOSFET N 600V 11.5A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: TK12E60W,S1VX) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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TK12E60W,S1VX(S Toshiba America Electronic Components Trans MOSFET N-CH 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 RoHS: Not Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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TK12E60W,S1VX Toshiba America Electronic Components Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220 详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta) 110W(Tc) TO-220 型号:TK12E60W,S1VX 仓库库存编号:TK12E60WS1VX-ND 别名:TK12E60W,S1VX(S <br>TK12E60WS1VX <br> | 无铅 |
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| 制造商零件编号: TK12E60W,S1VX(S 品牌: Toshiba 库存编号: 827-6113 | ||
| 制造商零件编号: TK12E60W,S1VX(S 品牌: Toshiba 库存编号: 799-5012 | ||
| 制造商零件编号: TK12E60W,S1VX(S 品牌: Toshiba 库存编号: 891-2888 |
数据列表 | TK12E60W |
---|---|
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 超级结 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 300 毫欧 @ 5.8A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 600µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 890pF @ 300V |
功率 - 最大值 | 110W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | TK12E60WS1VX |