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产品信息
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芯片 双MOSFET驱动器 3A
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器件类型:
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
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模块配置:
低压侧
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输出电流 峰值:
4.5A
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电源电压最小值:
4.5V
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电源电压最大值:
18V
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封装类型:
DIP
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针脚数:
8
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输入延迟:
40ns
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输出延时:
41ns
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工作温度最小值:
-40°C
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工作温度最高值:
125°C
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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功耗, Pd:
730mW
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器件标号:
4424
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封装/箱盒:
DIP
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工作温度范围:
-40°C 至 +125°C
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电源电压范围:
4.5V 至 18V
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表面安装器件:
通孔
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输入/输出延迟:
41ns
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输出数:
2
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输出电压:
18V
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输出电压 最大:
17.975V
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输出电流:
3A
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输出电流 + 最大:
3A
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输出阻值:
2.8ohm
产地:
US
United States
询价