![SUR70N02-04P|VISHAY SILICONIX](//upload.szcwdz.com/kucunpic/26/260847.jpg)
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产品信息
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场效应管 MOSFET N D-PAK
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
70A
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漏源电压, Vds:
20V
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在电阻RDS(上):
3.7mohm
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功耗, Pd:
8.3W
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封装类型:
TO-252
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SMD标号:
SUR70N02-04P
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功耗, Pd:
8.3W
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功耗, Pd:
8.3W
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封装/箱盒:
DPAK
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封装类型, 其它:
D-PAK
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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电流, Idm 脉冲:
100A
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表面安装器件:
SMD
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通态电阻 @ Vgs = 10V:
3.7mohm
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通态电阻 @ Vgs = 4.5V:
6.1mohm
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阈值电压, Vgs th 最高:
3V
产地:
TW
Taiwan
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