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SUP70N03-09BP-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SUP70N03-09BP-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB
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产品信息
数据列表 SUP/SUB70N03-09BP
Packaging Information
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)70A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)19nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1500pF @ 25V
功率 - 最大值93W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
其它名称SUP70N03-09BP-E3-ND
SUP70N03-09BP-E3TR
SUP70N0309BPE3
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