  |
  |
您现在的位置：首页 > SUP60N02-4M5P-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SUP60N02-4M5P-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | SUP60N02-4M5P Packaging Information |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 60A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5950pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 3.75W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
询价