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SUD50P08-26-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SUD50P08-26-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET P-CH D-S 80V TO252
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产品信息
数据列表 SUD50P08-26
产品相片 TO-263
标准包装  2,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)50A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)26 毫欧 @ 12.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)155nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5160pF @ 40V
功率 - 最大值136W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
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