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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SUD50NP04-94-T4-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N/P D-PAK
- 晶体管极性: N和P沟道
- 电流, Id 连续: 8A
- 漏源电压, Vds: 40V
- 在电阻RDS（上）: 41mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.7V
- 功耗, Pd: 15.6W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: TO-252
- 针脚数: 5
- 功耗, Pd: 15.6W
- 功耗, Pd: 15.6mW
- 器件标号: 50
- 封装/箱盒: DPAK
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 栅极电荷 Qg N沟道: 8nC
- 栅极电荷 Qg P沟道: 9nC
- 模块配置: 双
- 漏极电流, Id 最大值: 8A
- 漏极连续电流, Id N沟道: 8A
- 漏极连续电流, Id P沟道: 8A
- 漏源电压 Vds, N沟道: 40V
- 漏源电压 Vds, P沟道: -40V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds N沟道 1: 40V
- 电???, Vds P沟道 1: 40V
- 电压, Vds 典型值: 40V
- 电流, Idm 脉冲: 35A
- 脉冲电流, Idm N沟道: 35A
- 脉冲电流, Idm P沟道: 35A
- 表面安装器件: SMD
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 8A
- 连续漏极电流 Id, P沟道: -8A
- 通态电阻 @ Vgs = 10V: 41mohm
- 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 45mohm
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.034ohm
- 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.044ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: 0.6V
- 阈值电压, Vgs th 最高: 1.7V
询价