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SUD50N04-09H-E3 库存编号:781-SUD50N04-09H-E3 Vishay Intertechnologies ![]() ![]() 询价 | 0 2000起订 6-10天 | 2000+ | ¥11.67 |
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SUD50N04-09H-E3 Vishay Intertechnologies MOSFET 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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SUD50N04-09H-E3 VISHAY SILICONIX ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 50A TO252 详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 83.3W(Tc) TO-252,(D-Pak) 型号:SUD50N04-09H-E3 仓库库存编号:SUD50N04-09H-E3-ND | 无铅 |
数据列表 | SUD50N04-09H |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 50A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 9 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 85nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3700pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 83.3W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |