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SUD50N024-09P-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SUD50N024-09P-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH D-S 22V TO252
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产品信息
数据列表 SUD50N024-09P
产品相片 TO-263
标准包装  2,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)22V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)49A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)9.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1300pF @ 10V
功率 - 最大值39.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
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