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SUD50N02-06-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SUD50N02-06-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 20V 30A TO252
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产品信息
数据列表 SUD50N02-06
产品相片 TO-263
标准包装  2,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)6 毫欧 @ 30A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)600mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)130nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)6600pF @ 20V
功率 - 最大值100W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
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