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SUD40N02-08-E3 Vishay Siliconix 40 A, 20 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
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SUD40N02-08-E3 VISHAY SILICONIX ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Siliconix / Vishay MOSFET; N-Channel 20V 14MOHM@2.5VGS PWMOptimized 型号:SUD40N02-08-E3 仓库库存编号:70026310 | ![]() |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 40A TO252 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 40A(Tc) 8.3W(Ta),71W(Tc) TO-252,(D-Pak) 型号:SUD40N02-08-E3 仓库库存编号:SUD40N02-08-E3-ND | 无铅 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
SUD40N02-08-E3![]() | 9551450 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 20 V, 8.5 mohm, 4.5 V, 600 mV ![]() |
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数据列表 | SUD40N02-08 |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 40A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 8.5 毫欧 @ 20A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2660pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 71W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |