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产品信息
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场效应管 MOSFET N D-PAK
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
30A
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漏源电压, Vds:
30V
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在电阻RDS(上):
30mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
1V
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功耗, Pd:
50W
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封装类型:
TO-252
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封装/箱盒:
DPAK
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封装类型, 其它:
D-PAK
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds 典型值:
30V
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电流, Idm 脉冲:
40A
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阈值电压, Vgs th 最低:
1V
产地:
TW
Taiwan
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